PLD方法制备n-ZnO/p-Si光电二极管的特性研究

摘要

本文利用脉冲激光沉积方法(PLD)在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备n-ZnO/p-Si光电二极管,研究了衬底温度对二极管光电效应的影响.结果表明,在400°C,500°C,550°C和600°C下生长ZnO制备的二极管都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550°C下制备的样品具有最明显的光电效应.二极管对可见光和紫外光呈现出不同的响应性.在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势.根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是在n-ZnO/p-Si异质结不同的耗尽区诱导电子-空穴对产生光电流的.