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机译:SF6电感耦合等离子体的硅低温蚀刻:组合建模和实验研究
机译:SF6电感耦合等离子体的硅低温蚀刻:组合建模和实验研究
机译:使用SF_6 / O_2电感耦合等离子体对硅进行50 nm以下深冷蚀刻的轮廓模拟模型
机译:弱磁感应耦合SF6 / O-2等离子体中的硅通孔蚀刻中的F和O自由基以及离子能量分布
机译:通过整体模型与朗缪尔吸附动力学耦合研究硅和二氧化硅的感应耦合SF6等离子体蚀刻
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:电感耦合等离子体蚀刻非晶硅纳米结构 使用C4F8 / sF6化学进行纳米成像