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机译:MeV离子束辐照对金刚石中离子注入缺陷的退火
Enhanced epitaxial crystallization; Inelastic electronic scattering; Amorphous si layer; Low-temperature; Phosphorus; Silicon; Growth; Amorphization; Substrate; Kinetics;
机译:MeV离子束辐照对金刚石中离子注入缺陷的退火
机译:X射线辐照对MeV离子注入MgO光学性能和缺陷弛豫的影响
机译:用高流量为3.5meV和27 MeV电子照射的生长和氧气掺杂浮区硅的顺磁缺陷的生产和退火
机译:用8 MeV电子辐照p型硅中的辐射缺陷的等时退火
机译:MeV离子注入层在III-V化合物半导体中的表征和应用。
机译:100MeV Ag离子辐照对石墨烯的纯化/退火
机译:在9-Mev-Carbon辐照金刚石中的晶格损坏及其退火后的恢复
机译:40 mev电子辐照硅中红外缺陷吸收带的退火