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何捷; 林理彬; 王鹏; 卢勇; 邹萍; 王治国; 甘荣兵;
四川大学物理系,四川,成都;
四川大学分析测试中心,四川,成都,610064;
镁铝尖晶石透明陶瓷; 电子辐照; 等时退火; F聚心;
机译:正电子ni灭探测电子辐照金刚石中缺陷的退火行为
机译:GaAs中电子辐照缺陷的退火研究
机译:电子辐照n型4H碳化硅在室温至2000℃深能级缺陷之间的退火行为
机译:电子辐照4H-SiC中空位和反位相关缺陷的退火行为
机译:电场对磷化铟半导体结中稳定的辐射诱导缺陷的形成和退火的影响。
机译:本征和电子辐照诱导的原子结构MoTe2中的缺陷
机译:在低能电子辐照的n型4H-siC中EB中心和m中心的退火行为
机译:40 mev电子辐照硅中红外缺陷吸收带的退火
机译:可从MgAl2O4和MgAl2O4中获得的载体材料O2 CuO及其在具有CO2捕获能力的固体燃烧中的使用
机译:通过电子辐照和退火转换半导体器件中少数载流子的光学特性和复合特性的方法
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