AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光

武富浩幸; 三宅秀人; 平松和政; 福世文嗣; 岡田知幸; 高岡秀嗣; 吉田治正

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AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光

机译：AlN /蓝宝石上AlGaN的MOVPE生长和电子束激发的深紫外发射

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発光素子，受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化，発光効率の向上が求められている．本研究では，反射光を用いたその場観察を行いながら減圧MOVPE法により，サファイア上のAlNエピタキシャル膜を下地結晶としてAlGaNの成長を行った．得られたAlGaNの(0002)回折，(10-12)回折のXRC-FWHMは231，489arcsecであり，高い結晶性を有していることが分かった．また電子線励起による光学特性評価では強い深紫外発光を観測した．

机译：随着发光元件和光接收元件的波长缩短，需要提高具有高Al摩尔分数的AlGaN的质量和发光效率。在这项研究中，通过减压MOVPE方法使用蓝宝石上的AlN外延膜作为基础晶体生长AlGaN，同时使用反射光进行原位观察。所获得的AlGaN的（0002）衍射和（10-12）衍射的XRC-FWHM为231,489弧秒，并且具有高结晶度。另外，在通过电子束激发的光学特性的评价中观察到强的深紫外线发射。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials》 |2009年第25期|共5页
作者
武富浩幸; 三宅秀人; 平松和政; 福世文嗣; 岡田知幸; 高岡秀嗣; 吉田治正;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类一般性问题;
关键词
AlN; AlGaN; CL; LP-MOVPE;

机译：AlN;AlGaN;CL;LP-MOVPE;

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