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梁栋; 袁凤坡; 张宝顺; 尹甲运; 刘波; 冯志宏;
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室;
长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室;
AlGaN/AlN; 应变; 弛豫; 弯曲系数;
机译:MOCVD在蓝宝石和6H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN异质结构中热电子的能量弛豫
机译:透射电子显微镜分析AlGaN / AlN应变层超晶格在4英寸Si(111)衬底上生长的GaN层中c + a和-c + a位错之间的反应
机译:使用超薄缓冲液对蓝宝石上的PA-MBE生长的AlGaN / GaN异质结构进行全面的应变和带隙分析
机译:具有宏台阶的在c平面AlN /蓝宝石模板上生长的AlGaN量子阱的结构分析(1)
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN异质结构中各层的内部应变和晶体结构
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:具有蓝宝石(0001)衬底,初始AlN层和横向过度生长的AlXGAYN(0001)层的用于外延生长的模板的制造方法
机译:蓝宝石衬底上的多指大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
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