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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体熔体法晶体生长中的凝固问题

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本文以Bridgman法晶体生长过程为对象,研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体单晶材料晶体生长中的共性凝固问题.分析了晶体生长过程的传热、传质和对流的定性规律和数值计算方法;讨论了传热、传质和对流特性对结晶界面宏观和微观形貌的影响规律;进而探讨了晶体生长过程中的溶质分凝与成分偏析的形成条件.结合CdZnTe,研究了溶质分凝原理在伪二元材料主成分及杂质元素偏析分析中的应用方法.

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来源
《中国工程院化工、冶金与材料工程第十一届学术会议》|2016年|639-646|共8页
会议地点宁波
作者
JIE Wanqi; 介万奇;
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作者单位

中国工程院;

浙江省人民政府;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.25:TN304.054.3;
关键词
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体; 熔体法; 晶体生长; 溶质分凝; 成分偏析;

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