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机译:注入氧对n型6H-SiC的破坏行为和隔离效应的研究
Enhanced thermal-oxidation; Ion-implantation; Silicon-carbide; Amorphization; Layers;
机译:注入氧对n型6H-SiC的破坏行为和隔离效应的研究
机译:氧注入6H-SiC中损伤的光学特性研究
机译:离子注入引起的6H-SiC碳和硅亚晶格损伤的研究
机译:锗注入6H-SiC的损伤行为和退火
机译:通过扩大光解机理(光解的机理),从12-19 K的氧气基质中分离甲醛,乙二醛,氢硫化物,羰基硫和碳二硫化物中的氧化物种的基质。
机译:注入后退火过程中辐照的6H-SiC中氦气气泡和圆盘的演变
机译:n型InP中注入氮的退火行为研究
机译:通过受主注入到n型衬底中,在6H-siC中形成p-N结