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机译:硅纳米线光伏器件原子层沉积生长Al掺杂ZnO薄膜的特性
Zinc Oxide II-VI Semiconductors; Al-Doped Zinc Oxide; Atomic Layer Deposition; Silicon Nanowire Photovoltaic Device;
机译:硅纳米线光伏器件原子层沉积生长Al掺杂ZnO薄膜的特性
机译:生长温度对原子层沉积生长Al掺杂ZnO导电薄膜电学和结构特性的影响
机译:水热法在铝掺杂ZnO种子层上生长的溶胶凝胶铝掺杂ZnO薄膜和ZnO纳米线阵列的制备与表征
机译:中间退火工艺对采用原子层沉积制备的掺铝ZnO有源沟道的TFT器件特性的影响
机译:原子层沉积使生长的纳米线器件能够实现互连和封装技术。
机译:原子层沉积制备Al掺杂ZnO和ZnAl2O4薄膜的电学和光学性质
机译:用原子层沉积生长的Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜的表征