机译:具有共享写位线方案和低功耗操作的选择性读取路径的两写入两读取多端口SRAM
Multi-Port; SRAM; Write-Disturb; Half-Select; Read Path;
机译:具有共享写位线方案和低功耗操作的选择性读取路径的两写入两读取多端口SRAM
机译:使用位线电荷循环进行读取和写入操作的低功耗SRAM
机译:具有共享位线方案的45 nm 10T双端口SRAM,可实现低功耗运行
机译:一个40nm 256kb 6T SRAM,具有阈值电源门控,低摆幅全局读取位线以及具有Vtrip跟踪和负源极线辅助写入功能的电荷共享写入
机译:一种采用分时电感的电源管理方案,用于低冷启动电压的能量收集器应用。
机译:具有交叉点数据感知写字线结构,负位线和自适应读取操作时序跟踪的单端无干扰9T亚阈值SRAM