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机译:LaNiO {sub} 3 / Si基体上Pb(Zr,Ti)O {sub} 3铁电薄膜及成分梯度薄膜的制备及性能
Compositionally graded thin film; LaNiO{sub}3 electrode; Pb(Zr; Ti)O{sub}3;
机译:LaNiO {sub} 3 / Si基体上Pb(Zr,Ti)O {sub} 3铁电薄膜及成分梯度薄膜的制备及性能
机译:Pb_xSr_(1-x)TiO_3及其在高取向LaNiO_3缓冲Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上生长的成分渐变薄膜的铁电性能
机译:LaNiO_3涂层Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr,Ti)O_3多层薄膜的铁电和介电性能
机译:(Bi,La){sub} 4Ti {sub} 3o {sub} 12 / pb(zr,ti)o {sub} 3多层薄膜在Lanio {sub} 3涂层pt / ti / siO中的介电性质{sub} 2 / si基板
机译:铁料应变工程的新模式:PBZR1的域结构与性质Xtixo3薄膜
机译:硅上外延PbZr0.45Ti0.55O3薄膜的铁电和压电特性的固有稳定性与晶粒倾斜的关系
机译:在PbZrO3缓冲的Pt / Ti / SiO2 / Si衬底上组成渐变的Pb(Zr xTi1-x)O3薄膜的生长和电性能
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性