パルスレーザー堆積法によりシクロオレフィンポリマー基板上に作製しキアルミニウムドープ酸化亜鉛系透明導電膜

摘要

PLD法によりバッファー層付COP基板上にAZO透明導rn電膜を作製し，以下の結果を得た．rn1）バッファー層としてZnOを設けることによりAZOrn透明導電膜の特性を改善できた．rn2）ZnO作製時の酸素雰囲気圧が5.3Paの時に最も改善rnされて抵抗率ρ＝4.12×10~(-4)Ω?cmの値が得られた．rn3）ZnO作製時の酸素雰囲気圧が2.7Pa以上で，可視光rn領域における平均透過率が80％以上得られた．rn4）FE-SEM,AFMで膜表面を観察したところ，ひび割rnれや剥離もなく平坦な膜が得られていることが分かっrnた．