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机译:Gan Mocvd期间Gan(0001)表面上前体物质的吸附,扩散和解离的计算研究
density functional calculations; metal organic chemical vapor deposition; gallium nitride; cluster approximation;
机译:Cs在GaN(0001)和GaN(000(1))表面上的吸附特性的比较研究
机译:AB Initio在ALN(0001)和GaN(0001)表面的步进边缘处的吸附和解吸行为研究
机译:GaN(0001)表面上3d过渡金属原子的吸附和扩散
机译:GaN(0001)线缺陷表面TiO_2吸附的DFT研究
机译:用于节能半导体器件的Si / GaN异质结构的GaN和界面工程的表面工程
机译:基于最陡熵上升量子热力学模拟氨在GaN(0001)重构表面上化学吸附的非平衡过程
机译:“3d过渡金属在表面(0001)GaN上的吸附和扩散。研究使用DFT“/”在GaN(0001)表面上吸附和扩散3d过渡金属。 DFT研究“
机译:GaN(0001)表面吸氢的理论研究。