机译:GaN-s-NH3(v)+ N-2(v)+ H-2(v)系统的热力学-GaN(0001)表面过程的电子学方面
Nagoya Univ, IMaSS, CIRFE, Nagoya, Aichi 4648603, Japan|Polish Acad Sci, Inst High Pressure Phys, Sokolowska 29-37, PL-01142 Warsaw, Poland;
Polish Acad Sci, Inst High Pressure Phys, Sokolowska 29-37, PL-01142 Warsaw, Poland;
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Ab initio; Adsorption; Gallium nitride; MOVPE; HVPE; Polar surface;
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