机译:直接在Si(0 0 1)衬底上生长的高质量弛豫Ge层
Department of Physics, The University of Warwick Coventry G/4 7AL, United Kingdom;
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threading-dislocation densities; near-infrared light; high-quality ge; growth-kinetics; si; silicon; germanium; epitaxy; rp-cvd; surface roughness; relaxation; tensile strain;
机译:在(110)和(111)硅基板上生长的高质量弛豫锗层,减少了堆叠缺陷的形成
机译:改进的非极性A平面GaN ePI层的晶体质量直接生长在优化的孔阵图案的R-Sapphire底板上
机译:在松弛的Si_(0.5)Ge_(0.5)虚拟衬底顶部生长的压缩应变Ge /拉伸应变Si双层中的定量局部应变测量
机译:直接在Si基板上生长的GE自组装量子点的光学和结构特性以及应变松弛Si_(0.9)Ge_(0.1)缓冲层的光学和结构特征
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:可扩展合成少数层2D钨丁烯烯(2h-wse2)纳米胸底直接在钨(w)箔上生长使用环境压力化学气相沉积来反转锂离子贮存
机译:高品质轻松的锗层(110)和(111)硅基板,具有减少的堆叠故障形成
机译:通过分子束外延直接在si衬底上生长的Gaas层中制造的金属半导体场效应晶体管。