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陈荔群; 陈阳华;
集美大学诚毅学院;
厦门大学半导体光子学研究中心;
Ge; 低温缓冲层; 外延生长;
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:生长温度和变质缓冲层对分子束外延生长在Si衬底上InAs薄膜电子迁移率的影响
机译:使用外延γ-Al_2O_3(001)缓冲层在Si衬底上外延生长Pt(001)薄膜
机译:低温Ge缓冲层上外延生长BCC合金薄膜的磁性性能
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:通过自组装的PtSe2缓冲层在SiO2 / Si上可扩展外延生长WSe2薄膜
机译:Ba(Mg1 / 3Ta2 / 3)O3作为缓冲层在Si衬底上低温沉积Pb(Zr,Ti)O3薄膜
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:在Si衬底的REAIN / REO缓冲层上外延生长的REN半导体层
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:利用新型GeSi缓冲层在Si衬底上生长GaAs外延层
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