机译:在非导电衬底上形成多孔硅及其作为牺牲层的用途
ORION R&P Association, Plehanova 2, Moscow, Russia;
机译:通过连续波激光辐照从与基底结合的富硅氧化硅层形成多孔氧化硅
机译:使用基于氟化铵的电解质作为牺牲层来形成多孔硅
机译:使用牺牲多孔硅层转移垂直排列的硅纳米线阵列
机译:使用植入掩模技术形成厚多孔硅牺牲层
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
机译:使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
机译:反应键合氮化硅在加工过程中形成多孔表面层