微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究

摘要

利用多孔硅形成的选择性,在指定的硅衬底区域制作多孔硅作牺牲层.提出了先制作微结构,后进行阳极氧化,形成多孔硅牺牲层的工艺,由此制备出了良好的悬空结构,并对多孔硅形成的选择性、掩模材料和工艺条件进行了研究.