机译:脉冲激光沉积在MgAl_2O_4衬底上单晶GaN膜的结构特性的生长温度依赖性
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan;
机译:生长温度对单晶硅衬底上脉冲激光沉积制备磁铁矿薄膜的结构和传输性能的影响
机译:通过脉冲激光沉积在原子平坦的MgAl_2O_4衬底上室温外延生长GaN
机译:生长温度对通过脉冲激光沉积在铝酸镁scan氧化物衬底上生长的GaN外延膜性能的影响
机译:结晶和结构性能依赖于Teflon和玻璃基板上溅射纳米晶硅薄膜RF功率和沉积温度
机译:通过脉冲激光沉积合成的钛酸钴薄膜的结构和磁通量依赖性。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:脉冲激光沉积法在不同衬底上制备GaN厚膜的光电特性和结构表征