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GaN薄膜; 外延生长; 宽禁带半导体; 石墨烯; 北京大学; 单晶;
机译:通过嵌入杂化AlN缓冲层在石墨烯/蓝宝石衬底上外延生长和表征GaN薄膜
机译:GaN在石墨烯/ Si(100)衬底上的射频等离子体激发分子束外延生长
机译:使用SiH_4,GeH_4和F_2的反应CVD在玻璃上硅衬底上快速外延生长Si和SiGe单晶膜
机译:在单晶碳化硅衬底上外延生长的六价铁酸钡薄膜的生长和高速率反应离子刻蚀。
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:使用四溴化碳在si(100)衬底上外延生长siC
机译:通过区域熔融再结晶和随后的外延生长在siO 2涂覆的si衬底上制备的si薄膜中的微秒载流子寿命
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译:在衬底上外延生长单晶层的方法,以及用于实现该衬底的衬底支撑件
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