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杨国伟;
无;
C60单晶膜薄; 层状衬底; 汽相外延; 薄膜生长;
机译:在单晶Cu(111)衬底上外延生长均匀的单晶AlN膜
机译:在SrTiO3(100)衬底上生长的铂膜的表面结构和电化学性能
机译:单晶铁基衬底上生长的Gan膜的外延生长
机译:在H终止的Si(1 1 1)衬底上两步生长C60膜
机译:在单晶碳化硅衬底上外延生长的六价铁酸钡薄膜的生长和高速率反应离子刻蚀。
机译:表面结构和吸附活性对b取向ZSM-5沸石膜在改性α-石英衬底上注入的影响
机译:在单晶mgO(001)衬底上生长的FeRh外延层中的衬底诱导应变场
机译:低能电子衍射法在过渡金属单晶表面生长的结晶离子薄膜的表面结构测定
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:单晶衬底,具有晶体膜的单晶衬底,晶体膜,具有晶体膜的单晶衬底的制造方法,晶体衬底的制造方法以及元件的制造方法
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