机译:Si(001)衬底上的图案化Ge和SiGe层的应变弛豫
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan;
机译:具有超薄Ge夹层的Si(001)衬底上SiGe缓冲层中的位错结构和应变松弛
机译:在Si(001)衬底上两步生长形成的SiGe层的弛豫机制
机译:Si(0 0 1)衬底上的图案化Ge和SiGe层的应变弛豫
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机译:(001)硅衬底上的硅锗碳异质外延层的离子束改性和表征
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
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机译:siGe外延层应变松弛初始阶段的倒易空间分析