机译:Si(0 0 1)衬底上的图案化Ge和SiGe层的应变弛豫
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan;
机译:Si(001)衬底上的图案化Ge和SiGe层的应变弛豫
机译:具有超薄Ge夹层的Si(001)衬底上SiGe缓冲层中的位错结构和应变松弛
机译:图案化在应变的SOI / SiGe层和衬底中引起应力松弛的效应
机译:Si(001)衬底上的图案化Ge和SiGe层的应变弛豫
机译:Si / SiGe异质结构的应变工程纳米膜底物
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
机译:图案化的SiGe层中的不对称应变弛豫:一种增强Si盖层中载流子迁移率的方法
机译:siGe外延层应变松弛初始阶段的倒易空间分析