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机译:包括量子效应的应变硅MOSFET的阈值电压和亚阈值斜率建模
Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata-700 009, India;
机译:具有多晶硅栅极的应变Si沟道MOSFET的阈值电压和亚阈值斜率的温度相关模型
机译:包含量子效应的si / sii_agex / si双向栅MOSFET的漏极电流模型
机译:纳米DG MOSFET的阈值电压和亚阈值斜率建模
机译:温度对带有多晶硅栅极的应变Si / SiGe MOSFET的阈值电压和亚阈值斜率的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:具有接近理想亚阈值斜率的GaN纳米线MOSFET
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究