硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型

摘要

在分析应变Si/应变Si1-YGeY/驰豫Si1-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,得到的模拟结果与实验结果能够很好的吻合。