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机译:STI薄SOI功率LDMOS晶体管的静态和动态电性能
LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, 7 Avenue du Colonel Roche, F-31077 Toulouse, France;
机译:具有埋入式栅极结构的功率双极型静电感应晶体管的动态性能的改进
机译:具有分栅结构的高压LDMOS晶体管,可改善电气性能
机译:电掺杂动态可配置场效应晶体管,适用于低功耗和高性能应用
机译:STI薄SOI LDMOS晶体管用于智能电力和高频应用的分析
机译:界面,静态和动态障碍在高性能有机场效应晶体管中的作用
机译:利用射频溅射制备的UV /臭氧处理改善了氧化镓/ P-EPI碳化硅静态静态晶体管的电气特性
机译:基带电存储效应对微波功率晶体管动态传输特性的影响
机译:微电流晶体管逻辑电路的静态和动态性能。第一部分:微功率晶体管表征