首页> 外文期刊>Semiconductor International >Intel Takes 32 nm PMOS to Record Levels
【24h】

Intel Takes 32 nm PMOS to Record Levels

机译:英特尔采用32纳米PMOS达到创纪录水平

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Intel Corp. presented details on its 32 nm logic technology at the International Electron Devices Meeting (IEDM), reporting that its fourth-generation strain techniques have boosted the PMOS performance to a historic point. "For the first time, linear drive currents on the PMOS have overtaken NMOS," said Paul Packan, 32 and 15 nm technology programs manager.
机译:英特尔公司在国际电子设备会议(IEDM)上详细介绍了其32纳米逻辑技术,并报告其第四代应变技术已将PMOS的性能提升到了历史性的高度。 32和15 nm技术计划经理Paul Packan表示:“ PMOS上的线性驱动电流首次超过了NMOS。”

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号