机译:英特尔采用32纳米PMOS达到创纪录水平
机译:对工艺参数进行统计优化,以减少32 nm PMOS晶体管阈值电压的变化
机译:32纳米节点pMOS器件的功函数工程:高性能TaCNO门控膜
机译:栅极堆栈结构和过程缺陷对32nm技术节点PMOSFET中NBTI可靠性高kdielix依赖性的影响
机译:具有先进的两步嵌入式SiGe-S / D和应力衬层技术的高性能32 nm节点pMOSFET
机译:环境对土壤碳酸盐团聚同位素记录的影响,阿根廷中部安第斯山麓(32-34度)。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:两步嵌入式siGe s / D工程对32 nm技术节点及其超前pmOsFET的影响
机译:根据Epa(环境保护局)决定记录审查CERCLa(综合环境响应,赔偿和责任法案)网站补救行动的清理水平评估