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机译:对工艺参数进行统计优化,以减少32 nm PMOS晶体管阈值电压的变化
机译:工艺参数优化对阈值电压对HfO2 / TiSi2 18 nm PMOS显影的影响
机译:工艺参数优化对HFO2 / TISI2 18 NM PMOS阈值电压的影响
机译:Taguchi方法优化45 nm PMOS器件的工艺参数变异性
机译:使用Taguchi方法的工艺参数可变性对缩小的22nm PMOS阈值电压的影响
机译:使用统计数组处理减少来自环境噪声的环境参数估计值的不确定性。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:使用TAGUCHI方法优化45nm PMOS设备的过程参数变异性