TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平

摘要

正TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si 衬底AlGaN/GaN HEMT。这种器件10 GHz下的连续波输出功率密度达到7 W/mm。此结果表明, GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率 MMIC甚至更高的频率。