机译:陈绝缘子的安德森局部化和拓扑转变
CeFEMA, Instituto Superior Tecnico, Universidade de Lisboa, Avenida Rovisco Pais, P-1049-001 Lisboa, Portugal,Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100084, China;
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Sor Juana Ines de la Cruz 3, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain;
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Sor Juana Ines de la Cruz 3, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain;
quantum hall effects; electronic transport in nanoscale materials and structures; theory of electronic transport; scattering mechanisms;
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-磁拓扑绝缘子中量子-霍尔型绝缘子到安德森绝缘子的量子相变的观察
机译:ZnO_(1-δ)薄膜中的电传输:从带隙绝缘子到安德森局部绝缘子的转变
机译:三维拓扑绝缘体超薄膜中安德森局部化的观察
机译:拓扑磁振子绝缘子:Chern数和表面磁振子
机译:拓扑束缚态在连续统一和安德森本地化国家和延长州的共存
机译:在铁磁拓扑绝缘体的Chern状态之间的过渡中观察到大的离散跳跃
机译:安德森在陈氏绝缘子中的定位和拓扑过渡