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机译:GaN /蓝宝石模板上的高效350 nm波段基于InAlGaN的四元季光灯
RIKEN (The Institute of Physical and Chemical Research), 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama, 351-0198 Japan;
III-V semiconductors; electroluminescence; quantum wells; vapor phase epitaxy; growth from vapor phase; light-emitting devices;
机译:GaN基板上的毫瓦功率350 nm波段四元InAlGaN紫外LED
机译:GaN衬底上的毫瓦功率350 nm波段四元InAlGaN紫外LED
机译:在GaN衬底上生长的高效352 nm第四季度基于InAlGaN的紫外发光二极管
机译:GaN基板上的MilliWatt Power 350 NM波段四月型紫外线LED
机译:非对称催化作用的成立模板:所有碳四季中心建设中的应用
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:高质量的Semipolar GaN / Sapphire模板中生长高效的半极性IngaN长波长发光二极管和蓝色激光二极管的研制