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机译:具有GaN / SiN双缓冲层的InGaN / GaN MQW蓝色LED
Department of Electronic Engineering, Nan Jeon Institute of Technology, Yan-Hsui 737, Taiwan;
SiN; AFM; TEM; Buffer; LED; Life time;
机译:在MQW有源层和n-GaN覆盖层之间具有InGaN插入层的,基于GaN的蓝色LED的改进性能
机译:具有GaN / SiN双缓冲层的基于氮化物的蓝色LED
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:P型包层和P ++ - GaN层的效果/ GaN MQWS蓝色LED
机译:发射蓝光的InGaN / GaN MQW中不均匀性的光学表征。
机译:GaOOH NRA使用薄的ATO种子层改善了InGaN / GaN蓝色LED的光提取
机译:高级缓冲层对(111)硅衬底上生长的InGaN / GaN mQW光学性质的影响
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。