机译:在MQW有源层和n-GaN覆盖层之间具有InGaN插入层的,基于GaN的蓝色LED的改进性能
Electrostatic discharge; GaN; InGaN; LED;
机译:在GaN势垒和InGaN阱之间具有超薄插入层的InGaN / GaN基蓝色LED的增强性能
机译:具有GaN / SiN双缓冲层的InGaN / GaN MQW蓝色LED
机译:插入低温n-GaN基础层以分隔非辐射复合中心可提高蓝色InGaN / GaN LED的发光效率
机译:P型包层和P ++ - GaN层的效果/ GaN MQWS蓝色LED
机译:用于分子存储设备的氧化还原活性单分子膜的表征。第一部分:金上的自组装分子单分子层。第二部分:半导体上共价连接的分子单分子层。
机译:GaOOH NRA使用薄的ATO种子层改善了InGaN / GaN蓝色LED的光提取
机译:用Ingan / GaN多层屏障的GaN的蓝色发光二极管的性能提高
机译:具有亚稳态GaInassb有源层和alGaassb包层的3倍微米发射双异质结构二极管激光器