机译:电子辐照对SiC肖特基二极管的辐射损伤
Kumamoto Natl Coll Technol, Kumamoto 8611102, Japan;
机译:快速电子辐照前后具有RuWO_x肖特基接触的4H-SiC肖特基二极管的电学特性
机译:辐射电阻为4 <重点=“斜体”> H 重点> -SIC肖特基二极管在0.9-MEV电子照射下的照射下
机译:高能电子辐照对Ni / 4H-SiC肖特基二极管的肖特基势垒高度和Richardson常数的影响
机译:0.9 MeV电子辐照下600 V 4H-SiC肖特基二极管的降解
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:外延SiC肖特基势垒二极管的大剂量电子辐射和预期的室温自愈
机译:高能电子辐照对肖特基势垒高度和Ni / 4H-siC肖特基二极管的Richardson常数的影响
机译:pD / 6H-siC肖特基二极管气体传感器的电子和界面特性