机译:InGaAs / InAlAs量子级联激光器的结构和光学研究的相关性
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People's Republic of China;
A1. lattice-mismatch; A1. microstructure; A1. radiation; A1. X-ray diffraction; A3. molecular beam epitaxy; B3. infrared devices; B3. quantum cascade laser;
机译:金属有机化学气相沉积法优化InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的生长条件
机译:太赫兹InGaAs / InAlAs量子级联激光器中的散射过程
机译:太赫兹InGaAs / InAlAs量子级联激光器中的散射过程
机译:高功率太赫兹量子级联激光器的低有效电子质量InGaAs / InAlAs
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:优化IN0.52AL0.48AS的MBE生长条件为INGAAS / INALAS / INP量子级联激光器的波导层
机译:长波长(波长1.5微米)自然氧化物定义的Inalas-Inp-InGaasp量子阱异质结构激光二极管