机译:脉冲激光沉积法在Si衬底上生长PbSe薄膜
Warsaw University of Technology, Lukasiewicza 17, 09-400 Plock, Poland;
A1. nanostructures; A3. laser epitaxy; B1. salts; B2. semiconducting lead compounds;
机译:沉积温度对脉冲激光沉积法在RABiTS衬底上YBCO薄膜外延生长的影响
机译:脉冲激光沉积法在Pt / TiO_2 / SiO_2 / Si衬底上25%Bi(Ni_(1/2)Ti_(1/2))O_3-75%PbTiO_3薄膜的生长和电性能
机译:用脉冲激光沉积法在石英衬底上生长伪立方钙钛矿型SrRuO_3薄膜
机译:羟基磷灰石薄膜通过脉冲激光沉积生长:通过插入锡缓冲层的Ti合金基板钝化对膜性能的影响
机译:通过脉冲激光沉积和化学气相沉积合成新型材料:第一部分:氮化碳薄膜的能量沉积和稳定性。第二部分:一维材料和装置的催化生长。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:钨酶促:通过脉冲激光沉积(ADV。母体,在SiO2 / Si衬底上生长厘米级单层和几层WSE2薄膜(母版。界面20/2018)