机译:InP的选择性区域MOVPE中异常边缘生长的控制
Department of Electronic Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
A1. Abnormal growth; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. InP;
机译:基于InP的二维光子晶体InP和InGaAs柱结构的选择性区域MOVPE生长
机译:使用带隙能量控制选择性MOVPE制造的无插入损耗2 / spl次/ 2 InGaAsP / InP光开关
机译:采用Movpe选择性区域生长的双帽法从Inas / inp Qds进行宽带波长电致发光
机译:晶圆粘合InP / Si和InP / SiO2 / Si衬底上的选择性MOVPE GAINASP MQW结构的生长
机译:MOVPE生长的氮化镓基同轴LED的生长,加工和表征
机译:通过控制壳生长和封端配体长度的反应动力学来合成蓝色发光INP /间隙/ ZnS量子点
机译:选择性区域MOVPE在InP / GaP核壳纳米线中生长纤锌矿型GaP
机译:LWIR alInas / GaInas / Inp量子级联激光器的mOVpE生长:生长和材料质量对激光性能的影响。