The University of New Mexico;
机译:所有MOVPE生长的氮化物基LED都具有亚毫米以下的GaN
机译:MOVPE在LiAlO_2(100)上生长m面GaN基层并进行表征
机译:湿法刻蚀条纹蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的生长和特性
机译:低频噪声表征基于氮化物的白光LED的降解过程
机译:通过有机金属化学气相沉积法生长的氮化铝镓/氮化镓异质结晶体管的仿真,处理和表征。
机译:MOVPE在晶圆级厚氮化硼层上的柔性金属-半导体-金属器件原型
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延生长氮化镓铟的生长优化与表征