机译:Si(001)衬底上MOVPE生长的AlGaN / GaN基FET的晶体学和电学性质
Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Institut fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften, Universitaetsplatz 2, 39016 Magdeburg, Germany;
A1. Characterization; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors;
机译:Si(00 1)衬底上MOVPE生长的AlGaN / GaN基FET的晶体学和电学性质
机译:C掺杂GaN膜厚度对基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管的结构和电性能的影响
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