Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

苏少坚; 汪巍; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明

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使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分疑.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.

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来源
《物理学报》 |2011年第2期|707-711|共5页
作者
苏少坚; 汪巍; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明;
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作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
GeSn; Ge; 分子束外延; 外延生长;

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