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机译:在GaN和蓝宝石衬底上进行基于GaN的激光二极管结构的MOVPE生长期间晶片表面温度的均匀性
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
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Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
LayTec GmbH, Seesener Str. 10-13, 10709 Berlin, Germany;
LayTec GmbH, Seesener Str. 10-13, 10709 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany,Institut fuer Festkoerperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
A1. In situ characterization; A2. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Low press; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的室温CW操作
机译:使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的低电流操作
机译:使用高温生长单晶ALN缓冲层在蓝宝石基板上制造的GaN的蓝紫光激光二极管室温运行
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:研究在具有V形凹坑粗糙表面的化学湿法蚀刻图案化蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管