机译:研究硅掺杂GaAs(631)层的电学和光学特性与生长温度的关系
Coordination para la Innovation y Aplication de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Av. Sierra Leona 550, Col. Lomas 2a. Section S.LP. 78210, Mexico,Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bukyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan;
Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bukyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan;
Physics Department, Centro de Investigation y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, Mexico;
Coordination para la Innovation y Aplication de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Av. Sierra Leona 550, Col. Lomas 2a. SectionS.LP. 78210, Mexico;
Physics Department, Centro de Investigation y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, Mexico;
Electrical Engineering Department-SEES, Centro de Investigation y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, Mexico;
Coordination para la Innovation y Aplication de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Av. Sierra Leona 550, Col. Lomas 2a. SectionS.LP. 78210, Mexico;
A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;
机译:(631)取向衬底上生长的Si掺杂GaAs薄膜的光学和电学性质
机译:原子层沉积温度对ZnO和氟掺杂ZnO薄膜生长取向,形态和电,光学和带结构性能的影响
机译:不同原子浓度和沉积温度的原子层沉积铝掺杂ZnO薄膜的光学,结构和电学性质研究
机译:Mbe种植立方GaN / GaAs Epilayers的光学和电气性质掺杂
机译:GaAsSb纳米线的生长速率,电学和光学性质建模
机译:掺杂温度和氮前驱物对氮掺杂还原氧化石墨烯的物理化学光学和电导性质的影响
机译:基材温度对磁控溅射层逐层掺杂锌氧化物薄膜结构,光学和电性能的影响