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GaAs材料单晶层的制造方法和外延生长GaAs材料单晶层的衬底

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摘要

一种用于生产GaAs材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述GaAs材料的单晶层。

公开/公告号CN111954730A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人索泰克公司;
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申请/专利号CN201980021442.5
发明设计人布鲁诺·吉瑟兰;
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申请日2019-03-26
分类号C30B23/02(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/42(20060101);H01L21/762(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人龚泽亮;庞东成
地址法国伯尔宁
入库时间 2023-06-19 08:55:10

1. GaAs材料单晶层的制造方法和外延生长GaAs材料单晶层的衬底 [P] . 中国专利： CN111954730A . 2020-11-17
2. 金刚石或铱材料单晶层的制造方法和外延生长金刚石或铱材料单晶层的衬底 [P] . 中国专利： CN111936676A . 2020-11-13
3. Method for manufacturing single crystal layer of GaAs material and substrate for epitaxial growth of single crystal layer of GaAs material [P] . JP2021518320A . 2021-08-02

机译：用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法，用于GaAs材料的单晶层外延生长
4. METHOD FOR PRODUCING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIC GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL [P] . 法国专利： FR3079534A1 . 2019-10-04

机译：制备gaas材料的单晶层的方法和gaas材料的单晶层的外延生长的基质
5. METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019186268A1 . 2019-10-03

机译：制备Gaas材料的单晶层和GaAs材料的单晶层的表观生长基质的方法