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陈代华;
广西大学;
机译:硅掺杂对极性和非极性AlGaN外延层的结构,电学和光学性质的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积在r面蓝宝石上具有原位SiNx中间层的非极性a面发光二极管
机译:通过通过金属化学气相沉积通过高温Aln成核层在R面蓝宝石上生长的非极性A平面GaN薄膜的结构和光学表征
机译:双掺杂氧化铈的物理和电学性质研究
机译:厚度取决于在c面GaN上沉积的原子层中AlN的界面和电学性质
机译:掺杂气体对生长速率轴向均匀性和LPCVD原位掺杂多晶硅层电学性能的影响
机译:Czochralski生长的中子嬗变掺杂硅中氧的电学性质研究
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
机译:制备外延硅锗层的方法和包括外延砷原位掺杂的硅锗层的集成半导体器件
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