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机译:蓝宝石衬底的偏角和偏向依赖于基于Algan的深紫外发光二极管的特性
Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan;
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Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan|TOYODA GOSEI Co Ltd Ama Aichi 4901207 Japan;
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Meijo Univ Fac Sci & Technol Nagoya Aichi 4688502 Japan|Nagoya Univ Akasaki Res Ctr Nagoya Aichi 4648062 Japan;
机译:蓝宝石衬底偏角和偏角对基于AlGaN的深紫外发光二极管特性的影响
机译:在纳米图案蓝宝石衬底上生长的基于AlGaN的深紫外发光二极管具有显着改善的内部量子效率
机译:外延AIN /蓝宝石模板上生长的基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有图案蓝宝石衬底的AlGaN基深紫外和中紫外倒装芯片发光二极管的光提取效率比较研究
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长