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机译:r面蓝宝石衬底表面预处理对a面AlN晶体质量的影响
Mie Univ, Dept Elect & Elect Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
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Mie Univ, Dept Elect & Elect Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan|Mie Univ, Grad Sch Reg Innovat Studies, Tsu, Mie 5148507, Japan;
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机译:AlN缓冲层厚度对R平面蓝宝石基板上生长的10-PRRS厚的A平面ALN薄膜结晶和表面形态的影响
机译:r面蓝宝石衬底上生长的非极性a面GaN的晶体质量和表面形态的改善
机译:R面蓝宝石上溅射的ALN缓冲层的退火及其对面平面GaN结晶品质的影响
机译:由脉冲原子层外延型R面蓝宝石基材种植的高品质A-Plane GaN层
机译:在r面蓝宝石衬底上生长异质外延单晶铌酸铅镁钛酸铅薄膜。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有Tmal预处理的蓝宝石衬底的结构性质,晶体品质和生长模式