MOVPE 法による Si 基板上 GaP の高温成長

摘要

有機金属気相成長（MOVPE）法により Si 基板上に GaP 成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH_3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン（CHP）は830℃での膜厚200nm の成長によって得られた。CHP は GaP 層の質が高いことを示す。断面 TEM により5nmと40mm 厚さの GaP 層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。%GaP was grown on misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). At 700 and 800℃, no mirror suface was obtained. A mirror suface was achieved at 83℃ with a high PH_3 flow rate. A cross-hatched pattern (CHP) was observed for a 200-nm-thick GaP layer grown at 830℃. The CHP indicates that the quality of the GaP layer was high. Cross-sectional transmission electron microscopy reveals that few stacking faults and dislocations exist in 5-and 40-nm-thick GaP layers on Si substrates.