Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO_2 Substrates

摘要

Microcrystalline Si_(1-x)Ge_x (x~0.8) has been successfully deposited over SiO_2 substrates by magnetron sputtering. Detailed investigation about the deposition condition revealed that crystalline phase begins to form at about 300℃, which roughly correspond to half the melting temperature of the material where surface migration of deposited atom starts to take place. Substrate bias effect was also investigated, which showed the degradation of crystallinity for the substrate temperature of 350℃ while improvement of crystallinity was found for 300℃ samples.%マグネトロンスパッタを用いて、微結晶 Si_(1-x)Ge_x（x～0.8）をSiO_2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を検討した結果、基板温度が Si_(1-x)Ge_x の融点の約半分の温度である300℃で結晶化が始まる事を見出した。これは、スパッタ時に原子の表面マイグレーションが起こる温度と対応している。基板バイアスの効果に関して検討を行ったところ、基板温度350℃では基板バイアスにより結晶性の低下が観測されたが、300℃では結晶性を改善出来る事が確認された。