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【24h】

チップ部へのTHRUパターンの埋め込みによるICパッケージの自己インダクタンスの測定

机译:通过将THRU模式嵌入芯片来测量IC封装自感

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摘要

In IC package modeling of electrical properties, to compare model parameters extracted from results of electromagnetic calculations to those obtained from measurements is an important method for validation of the model. Only direct probing methods for special package, however, had been reported in literature. There is no method for actual packages molded with resin and mounted on printed circuit board. This paper proposes an extraction method of self-inductance of actual IC packages. Four test packages consisted of interposer and bonding wires were employed for validation of the method. Self-inductances of the four packages were extracted from measured impedance parameters obtained by a two ports measurement at board level. The test package contained a THRU line instead of IC-chip. By subtracting inductance of the THRU line from inductance between the two ports of measurement, the package inductance was obtained. As a result, the self-inductance were obtained with absolute errors between -0.8 and -0.2 nH in measurement, between -0.9 ~ -0.6 nH in electromagnetic calculations.%ICパッケージ電気特性のモデリングにおいて.電磁界シミュレーションに基づき構築したモデルを実測結果と比較することは,一つの重要なモデル精度検証方法である,しかし,過去の報告では,パッケージを開封した状態での測定例が報告されているのみであり,パッケージを封止した状態での測定例は見られない.筆者らは,封止かつボード実装された状態におけるパッケージ特性の測定法を検討しており,本報告では、自己インダクタンスの測定法を検討した.提案法では,特性が既知のTHRUラインを用いて,そのTHRVラインをチップ部にマウントしたパッケージをPCB上に実装し,PCB上の測定結果からパッケージ部の自己インダクタンスを抽出する.そして,実測および3次元電磁界解析により抽出精度を検証した.その結果,500MHz以下で実測では-0.8~-0.2nH,電磁界解析では-0.9~-0.6nHの絶対誤差で自己インダクタンスを測定できた.
机译:在电性能的IC封装建模中,将从电磁计算结果中提取的模型参数与从测量中获得的模型参数进行比较是验证模型的重要方法。然而,文献中仅报道了针对特殊包装的直接探测方法。对于用树脂模制并安装在印刷电路板上的实际封装,没有任何方法。本文提出了一种实际IC封装自感的提取方法。使用四个由中介层和键合线组成的测试套件来验证该方法。从通过在板级进行两个端口测量而获得的测量阻抗参数中提取出四个封装的自感。测试封装包含THRU线而不是IC芯片。通过从两个测量端口之间的电感中减去THRU线的电感,可以获得封装电感。结果,获得的自感在测量中的绝对误差为-0.8至-0.2 nH,在电磁计算中的绝对误差为-0.9〜-0.6 nH。%ICパッケージ电気特性のデーデリングにおいて。モデルを実测结果と比较することは,一つの重要なモデル精度検证方法である,しかし,过去の报告では,パッケージを开封した状态での测定例が报告されているのみであり,パッケージを封止笔状态での测定例は见られない。笔者らは,封止かつboード実装された状态におけるパッケージ特性の测定法を検讨しており,本报告では,自己的ダクタンスの测定法を検讨した。实施法では,特性が既知のTHRUラインを用いて,そのTHRVラインをチップ部にマウントしたパッケージをPCB上に実装し,PCB上の测定结果からパッケージ部の自己インダクタンスを抽出する。そして,実测および3次元その结果,500MHz以下で実测では-0.8〜-0.2nH,电磁界解析では-0.9〜-0.6nHの绝対误差で自己イン出クタンスを测定できた。

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