金刚石基板多芯片功率组件用SiC功率芯片封装

摘要

高温电子封装需要功率开关器件、元源元件及材料均能经受高达30012的工作环境温度。以往情况下，传统硅基电子器件在工作温度高于150℃时其电性能就会出现欠缺。90年代初，出现一种市售绝缘体上硅技术(即HTMOSTM)，该技术可使器件达到至少5年、225℃的工作寿命以及300℃、少于5年的工作寿命。除了碳化硅(SiC)之外，在技术水平上之后再未出现过能经受超过300℃工作环境温度的其它别的功率器件材料。尽管SiC功率器件仍未达到商品化的程度，但十分明显，SiC技术对需要在高温环境下工作的功率电子封装设计策略将会产生影响。